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Canon bringt 15.1 Megapixel EOS 50D

Canon überrascht mit der EOS 50D noch vor der Photokina 2008

50D_1_thumb_thumb.jpgKaum veröffentlicht Swissphoto.net, dass auf der chinesischen Canon-Webseite eine Canon Spiegelreflex EOS 50D gesichtet worden sei, schon bestätigt Canon offiziell deren Existenz. Mit 15.1 Megapixeln, bis zu 90 Aufnahmen in Serie, besserer Bildqualität und vielen neuen Features bietet die EOS 50D der Konkurrenz die Stirn.

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Sony bringt 24.81 Megapixel CMOS-Sensor
Mittwoch, 30. Januar 2008 um 14:24 Uhr

Sony bringt 24,8 Megapixel Vollformat CMOS-Sensor

Keine Woche ist es her, da hat Pentax mit der K20D und einem 14.6 Megapixel CMOS-Sensor überrascht, schon verkündet Sony die Entwicklung eines 24.8 Megapixel Vollformat CMOS-Sensors. Der Sensor soll noch dieses Jahr in Produktion gehen. Wann und wo er allerdings eingesetzt wird, darüber schweigt sich Sony Japan derzeit noch aus. 

Serienaufnahmen mit 6,3 Bildern pro Sekunde bei voller Auflösung
EiSony 24.8 MP Sensorne Auflösung von genau 24,81 Megapixeln erreicht ein neuer CMOS-Sensor im Vollformat, was der Grösse eines 35mm Negativs aus der analogen Zeit entspicht, den Sony für digitale Spiegelreflexkameras entwickelt hat. Der Chip soll laut Sony mit 6,3 Bildern pro Sekunde bei voller Auflösung arbeiten, was den derzeitigen Spitzenreiter die Canon EOS 1Ds mit 21 Megapixeln überflügeln würde.

CMOS-Sensor mit 24,8 Megapixel

Sony verwendet beim neuen Sensor die eigene "Column-Parallel A/D Conversion" Technik. Dabei ist jede Sensorspalte mit einem eigenen Analog-Digital-Wandler ausgestattet. Dies soll das Rauschen minimieren und eine schnellere Verarbeitung der Bilddaten ermöglichen.  Laut Sony soll der neue Sensor zugleich einen höheren Dynamikumfang haben. Wann und wo der Sensor eingebaut wird, ist zurzeit noch nicht bekannt.

 

Komentar:

Eines ist schon jetzt klar, die Nachricht wird in den Entwicklungsetagen diverser führender Kamerahersteller für rote Köpfe sorgen. Ist doch die EOS 1Ds Mark III von Canon eben gerade noch als unschlagbares Flaggschiff der DSLR-Gemeinde auf den Markt gekommen. Kaum denkbar, dass Canon so schnell einen weiteren Nachfolger produzieren wird oder kann. Auch Nikons Flagschiff D3 mit ihren 12.3 Megapixeln sieht in diesem Licht ziemlich alt aus. Nicht, der Bildqualität wegen, die ist bei Nikon ohne Zweifel erhaben, wie auch bei Canon, aber der Markt schreit, ob man will oder nicht, nach mehr. Da kommen solche Pixelzahlen gerade recht.

Was aber noch mehr ist, mit einem 24.8 Megapixel Sensor wildert Sony im Revier der Mittelformat-Kamerahersteller, wie Hasselblad. Preislich wird die Kamera sich, in welchen Modell und Marke der Sensor auch immer auf den Markt kommt, in einem anderen Rahmen bewegen. Vielleicht reduzieren sich dann auch der für den Normalverbraucher astronomische Preis der EOS 1Ds Mark III. Hoffen kann man auch darauf, dass die Hersteller von Harddisks und anderen Speichermedien, dem Bilderaustoss der neuen Sensorgenerationen, mit höheren Speicherkapazitäten genügen werden. 

 

 

{jfc title=Original Press Release of Sony}

Sony Develops 35mm full size CMOS Image Sensor with 24.81 Effective Megapixel resolution and extremely high signal conversion speed for use in Digital SLR Cameras
All-pixel scan mode of 6.3 frame/s

    
Tokyo, Japan - Sony Corporation today announced the development of a 35mm full size (diagonal:43.3mm/Type 2.7) 24.81 effective megapixel, ultra-high speed high image quality CMOS image sensor designed to meet the increasing requirement for rapid image capture and advanced picture quality within digital SLR cameras.


CMOS Image Sensor
 

Development background
In recent years, the demand for digital SLR cameras featuring high resolution and wide graduation ranges capable of capturing every detail of the subject matter has continued to increase, particularly among high-end amateur users. Additionally, the increasing user requirement to shoot from the same focal length and angle as 35mm film cameras using interchangeable lenses has led to significant interest in the development of 35mm, full size CMOS image sensors.

However, there are a number of technical challenges to developing full (large) size image sensors, such as the propagation delay caused by using extended power circuitry and signal lines, and the difficulty of maintaining uniform sensitivity and signal saturation across the surface of the screen. It is therefore extremely important to accurately control exposure variance and match circuit patterns.
        
Advantages of this device
The newly developed CMOS image sensor combines unique circuit design technology with Sony's advanced fabrication expertise, such as advanced planarization for minimizing fluctuation, to realize 35mm, full size, 24.81 effective megapixel resolution. Sony's "Column-Parallel A/D Conversion Technique" also provides each column within the sensor with its own A/D converter, minimizing image degradation caused by the noise that arises during analog processing while at the same time delivering an extremely high signal conversion speed.

The enhanced image quality generated by the sensor's 24.81 effective megapixel resolution, wide range of graduation expression achieved by its full size broad dynamic range, and the low noise, high resolution, ultra-responsive performance provided by Sony's Column-Parallel A/D Conversion technique enable it to meet the ever-increasing requirements within high performance digital SLR cameras. Sony will target for mass production of this CMOS image sensor within this year.
        
Major features
High picture quality in 35mm full size image sensor with 24.81M effective pixels
"Column-Parallel A/D Conversion method" achieves high S/N and high-speed imaging
  •CDS/PGA(24dB)Circuit  (PGA: Programmable Gain Amplifier)
  •12bit-AD Converter on chip
  •Diversified readout mode
     •All-pixel scan mode   6.3 frame/s (12bit)
     •Window readout
High-speed digital output (12 channel parallel LVDS output)

        
Device Structure
Image size    Diagonal width 43.3mm (Type 2.7)
Total number of pixels    6236(H) x 4124(V) approx. 25.72M pixels
Number of effective pixels    6104(H) x 4064(V) approx.24.81M pixels
Number of active pixels    6096(H) x 4056(V) approx.24.73M pixels
Chip size    41.0mm (H) x 31.9 mm (V)
Unit cell size    5.94µm (H) x 5.94µm (V)

 

{/jfc}


 

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